如何更高效更智能地利用能源，以應(yīng)對(duì)全球氣候與資源變化實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，功率半導(dǎo)體作為能源產(chǎn)業(yè)鏈的最上游責(zé)無(wú)旁貸地要提出一些解決方案。過(guò)去20年，以英飛凌為主的功率半導(dǎo)體廠(chǎng)家推出、發(fā)展一代又一代的Si基IGBT，推動(dòng)了功率器件市場(chǎng)的可持續(xù)進(jìn)步。然而在即將到來(lái)的未來(lái)，隨著對(duì)能源高效、智能、安全、便捷等更加深刻的要求，僅僅靠相對(duì)成熟的IGBT產(chǎn)品，難免會(huì)捉襟見(jiàn)肘。新型的復(fù)合半導(dǎo)體——SiC材料，將成為打開(kāi)能源高效利用的另一把鑰匙。 2018年5月16日，英飛凌攜革命性碳化硅產(chǎn)品技術(shù)CoolSiC™ MOSFET，在[登陸后可查看全文]