今天發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK®SO-8封裝，是目前最大導(dǎo)通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，F(xiàn)OM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻則要高11%甚至更多。 SiRA20DP的低導(dǎo)通電阻可減小傳導(dǎo)功率損耗，提高系統(tǒng)效率，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，特別適合冗余電源架構(gòu)中的OR-ring功能。器件的FOM較低，可提高開關(guān)性能，如通信和服務(wù)器電源中DC/DC轉(zhuǎn)換，電池系統(tǒng)中的電池切換，以及5V到12V輸入電源的負(fù)載切換。  這顆MOSFET經(jīng)過了10[登陸后可查看全文]