1 引言 該器件專門設計用于中高電流應用。相對于600v igbt3，全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600v igbt3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。 圖1 全新650v igbt4的截面圖 2 650v igbt4的設計與技術 全新的650v igbt4[1]采用溝槽mos-top-cell薄片技術和場終止概念，如圖1所示。溝槽與場終止技術的結合，帶來相對低的通態(tài)和關斷損耗。相對于600v igbt3，該芯片的厚度增加約15%，mos溝道的寬度降低約20%。因此，關斷軟度得以改進，從而降低電磁干擾。當然，這[登陸后可查看全文]