全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。   對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。 此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約[登陸后可查看全文]