三菱電機開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品
日期:
2025-02-14 23:12
與現(xiàn)有產(chǎn)品3相比，采用第8代IGBT芯片的新型LV100封裝1.2kV模塊可將太陽能發(fā)電系統(tǒng)、儲能電池等逆變器的功耗降低約15%4。此外，通過優(yōu)化IGBT和二極管芯片布局，實現(xiàn)了1800A的額定電流，是上述現(xiàn)有產(chǎn)品的1.5倍，有助于提高逆變器的輸出功率。此外，該模塊的傳統(tǒng)封裝易于并聯(lián)連接，可以兼容多種功率等級的逆變器設(shè)計。
隨著對功率半導(dǎo)體需求的增加，三菱電機期待在各個領(lǐng)域降低電力電子設(shè)備的能耗，并快速穩(wěn)定地提供此類產(chǎn)品，以支持綠色轉(zhuǎn)型（GX）。
產(chǎn)品特點
1）搭載第8代IGBT，使逆變器功率損耗降低15%
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