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IGBT功率模塊
發(fā)布時(shí)間:2011-09-28        瀏覽次數(shù):102758        返回列表

我們?cè)O(shè)計(jì)、制造和銷售IGBT功率模塊,其主要用于電力機(jī)車和電動(dòng)車組。IGBT功率模塊指封裝IGBT驅(qū)動(dòng)、各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路、高性能IGBT和水冷裝置。IGBT是一種復(fù)合控制的電壓驅(qū)動(dòng)電力半導(dǎo)體,由雙極型晶體管(BJT)及金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體(MOSFET)的部件組成。IGBT具備MOSFET高輸入電阻及巨型晶體管(GTR,一種可承受高電壓及電流的BJT)低擊穿降壓的優(yōu)點(diǎn)。GTR具備低保和降壓、高電荷密度、但大驅(qū)動(dòng)電流的特點(diǎn)。MOSFET則具備低驅(qū)動(dòng)力、高切換速度,但大擊穿降壓降壓及小電荷密度的特點(diǎn)。IGBT結(jié)合這兩個(gè)部件的優(yōu)點(diǎn)。
    
 
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