Unifull™ 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機集團近日（2024年6月10日）宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現(xiàn)有的3.3kV/800A模塊一起，新命名的Unifull™系列包含3款產(chǎn)品，以滿足大型工業(yè)設(shè)備對能夠提高功率輸出和功率轉(zhuǎn)換效率的逆變器日益增長的需求。該產(chǎn)品正在PCIM Europe 2024（6月11-13日，德國紐倫堡）上展出。

為實現(xiàn)脫碳社會，對能夠高效電力變換的功率半導(dǎo)體需求日益增長，尤其是能夠顯著降低功率損耗的SiC功率半導(dǎo)體。大型工業(yè)設(shè)備常用功率半導(dǎo)體模塊來實現(xiàn)功率變換，例如牽引驅(qū)動系統(tǒng)和電源、直流輸電等。對于能夠進一步提高功率轉(zhuǎn)換效率并支持不同輸出容量逆變器設(shè)計的高功率、高效率SiC模塊的需求尤為強烈。

三菱電機于2024年3月29日發(fā)布了3.3kV/800A SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊，采用優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，降低開關(guān)損耗并提升SiC性能。與現(xiàn)有的功率模塊相比，Unifull™模塊顯著降低了開關(guān)損耗，并有助于提高大型工業(yè)設(shè)備的功率輸出和效率，使其適用于容量相對較小的軌道車輛和驅(qū)動系統(tǒng)的輔助電源。

產(chǎn) 品 特 點

適用于不同輸出容量的低電流模塊 

三菱電機的SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊新增3.3kV/400A和3.3kV/200A低電流版本的兩款產(chǎn)品，與現(xiàn)有3.3kV/800A構(gòu)成了新的Unifull™系列。
 

新的低電流模塊，適用于鐵路車輛的輔助電源和相對小容量的驅(qū)動系統(tǒng)，適用不同功率要求的大型工業(yè)設(shè)備，并提高其逆變器功率轉(zhuǎn)換效率，擴大了應(yīng)用范圍。
 

內(nèi)置SBD的SiC-MOSFET，有助于實現(xiàn)逆變器的高輸出、高效率和可靠性
 

采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)的SBD嵌入式SiC-MOSFET，與三菱電機現(xiàn)有的全SiC功率模塊*相比，開關(guān)損耗降低了約54%，與公司現(xiàn)有的Si功率模塊**相比降低了91%，有助于提高功率輸出和效率。
 

采用雙極性模式激活（BMA）元胞結(jié)構(gòu)，提高了抗浪涌電流能力，并有助于提高逆變器的可靠性。

*新型3.3kV/400A模塊（FMF400DC-66BEW）與現(xiàn)有全SiC功率模塊（FMF375DC-66A）；新型3.3kV/200A模塊（FMF200DC-66BE）與全SiC功率模塊（FMF185DC-66A）的比較

**新型3.3kV/400A模塊（FMF400DC-66BEW）與硅功率模塊（CM450DA-66X）的比較

主要規(guī)格

Unifull™ SBD嵌入式

SiC-MOSFET模塊產(chǎn)品線

網(wǎng)站

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