用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM（MGFS52G38MB）

三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年6月4日）宣布，將于6月11日開(kāi)始為5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功率氮化鎵（GaN）功率放大器模塊（PAM）的樣品。PAM可用于32T32R mMIMO天線*2，以降低5G mMIMO基站的生產(chǎn)成本和功耗，隨著5G網(wǎng)絡(luò)從城市中心向偏遠(yuǎn)地區(qū)的擴(kuò)展，預(yù)計(jì)PAM將得到越來(lái)越多地部署。三菱電機(jī)將于6月18日至20日在美國(guó)華盛頓特區(qū)舉行的IEEE MTT-S國(guó)際微波研討會(huì)（IMS）2024上展出其新型16W GaN PAM。

使用mMIMO基站實(shí)現(xiàn)高速、大容量通信的工作主要在城市取得進(jìn)展。為了進(jìn)一步降低功耗和制造成本，對(duì)具有更高效率和模塊化的功率放大器的需求不斷增長(zhǎng)。PAM在寬頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)符合3GPP標(biāo)準(zhǔn)的低失真特性*3，從而與不同國(guó)家/地區(qū)的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)廣泛兼容。隨著未來(lái)5G網(wǎng)絡(luò)從城市中心擴(kuò)展到偏遠(yuǎn)地區(qū)，要求mMIMO基站提供更廣泛的通信范圍和更低的成本，使用具備超高性能的功率放大器將幫助實(shí)現(xiàn)這種可能。

2023年9月，三菱電機(jī)開(kāi)始提供GaN PAM的樣品，該樣品在3.4至3.8GHz的寬頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)8W（39dBm）的平均輸出功率，適用于5G基站的64T64R mMIMO天線*4。此次發(fā)布的16W（42dBm） GaN PAM在3.3至3.8GHz的寬頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了更高的平均輸出功率，適用于32T32R mMIMO天線，擴(kuò)展了5G mMIMO基站的通信范圍，并通過(guò)減少所需的PAM數(shù)量降低了其制造成本。

產(chǎn) 品 特 點(diǎn)

減少功率放大器模塊數(shù)量，擴(kuò)展5G mMIMO基站通信范圍

與現(xiàn)有的8W GaN PAM相比，新型16W GaN PAM使32T32R mMIMO天線使用的功率放大器數(shù)量減少了一半，同時(shí)達(dá)到了64T64R mMIMO天線的通信范圍，從而降低了5G mMIMO基站的制造成本。

與現(xiàn)有的8W產(chǎn)品相比，16W的GaN PAM將64T64R mMIMO天線的功率提高了一倍，擴(kuò)展了5G mMIMO基站的通信范圍。

500MHz頻段40%的高效率，降低了5G mMIMO基站的功耗

具有外延生長(zhǎng)層結(jié)構(gòu)的氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）*5，使其在5G環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高效率和低失真特性。

三菱電機(jī)獨(dú)特的寬帶Doherty電路*6緩解了GaN HEMT輸出寄生電容造成的帶寬限制，在500MHz頻段實(shí)現(xiàn)了40%的功率附加效率，從而降低5G mMIMO基站的功耗。

功率放大器的模塊化，降低了5G mMIMO基站的電路設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)和制造成本

三菱電機(jī)獨(dú)特的高密度封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了5G基站功率放大器不可或缺的Doherty電路PAM。

新PAM的部署將減少5G mMIMO基站所需的組件數(shù)量，從而簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并降低制造成本。

主要規(guī)格

環(huán)保意識(shí)

本產(chǎn)品符合RoHS*7指令2011/65/EU和（EU）2015/863。