硅射頻高功率MOSFET（RD06LUS2）
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年2月27日）宣布，將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻（RF）高功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）樣品，用于商用手持式雙向無(wú)線電（對(duì)講機(jī)）的射頻高功率放大器。該型號(hào)采用3.6V單節(jié)鋰離子電池，可實(shí)現(xiàn)業(yè)界先端的6.5W輸出功率，有望擴(kuò)大商用無(wú)線電設(shè)備的通信范圍并降低功耗。
隨著3.6V鋰離子電池在智能手機(jī)中的日益普及，商業(yè)無(wú)線電行業(yè)也期望以比傳統(tǒng)7.2V電池更低的成本開發(fā)出更高功率的產(chǎn)品。但到目前為止，3.6V電池的使用導(dǎo)致商用無(wú)線電放大器的輸出功率降低，因此在與智能手機(jī)相比需要更高輸出的商用無(wú)線電放大器市場(chǎng)中，一直在等待能夠提高3.6V電池輸出功率的MOSFET。
為此，三菱電機(jī)現(xiàn)已開發(fā)出一種高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可為工作電壓為3.6V的商用無(wú)線電提供無(wú)與倫比的功率輸出和高漏極效率*1。此外，內(nèi)置兩個(gè)MOSFET芯片的封裝可以節(jié)省商用無(wú)線電印刷電路板上的空間，有助于降低組裝成本。
產(chǎn) 品 特 點(diǎn)
行業(yè)先端的6.5W輸出功率，有助于擴(kuò)展無(wú)線電通信范圍
通過(guò)針對(duì)3.6V工作電壓優(yōu)化的結(jié)構(gòu)降低導(dǎo)通電阻，提高了功率密度。
內(nèi)置兩個(gè)MOSFET芯片的封裝為3.6V無(wú)線電實(shí)現(xiàn)了無(wú)與倫比的6.5W輸出功率。
與現(xiàn)有型號(hào)*2相比，輸出功率的增加將通信范圍擴(kuò)大了27%。
行業(yè)先端的65%漏極效率，實(shí)現(xiàn)低功耗
針對(duì)3.6V工作電壓的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)65%漏極效率。
漏極效率的提高可降低無(wú)線電功耗，從而延長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間。
雙MOSFET封裝，可節(jié)省空間并降低組裝成本
與兩個(gè)單芯片產(chǎn)品相比，帶有兩個(gè)MOSFET芯片的新型封裝可減少33%的空間。
兼容表面貼裝技術(shù)（SMT），可降低封裝組裝成本。
主要規(guī)格
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型號(hào) |
RD06LUS2 |
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應(yīng)用 |
手持式雙向無(wú)線電的射頻高功率放大器 |
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結(jié)構(gòu) |
硅N溝道MOSFET |
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輸出功率 |
6.5W typ. (520MHz) |
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漏極效率 |
65% typ. (520MHz) |
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工作電壓 |
3.6V |
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尺寸 |
8.0mm×4.9mm×0.75mm |
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樣品提供 |
2024年2月28日 |
未來(lái)發(fā)展
新款RD06LUS2 MOSFET將于2024年7月發(fā)售。同時(shí)，配套的MOSFET驅(qū)動(dòng)器(RD00LUS2)將于2024年3月開始提供樣品，預(yù)定于2024年8月發(fā)售。此外，為了提供支持，將于2024年5月推出配備RD06LUS2 MOSFET和RD00LUS2驅(qū)動(dòng)器的兩級(jí)評(píng)估板以及非線性仿真模型。
環(huán)保意識(shí)
本產(chǎn)品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。
*1：從電池電源到射頻功率輸出的轉(zhuǎn)換效率
*2：三菱電機(jī)現(xiàn)有的4W 射頻高功率MOSFET（RD04LUS2）
*3：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment