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SKiN功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)

已有35558次閱讀  發(fā)布時(shí)間:2012-02-14


賽米控開發(fā)出一種革命性的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù),摒棄了綁定線、焊接和導(dǎo)熱涂層。新的SKiN技術(shù)采用柔性箔片和燒結(jié)連接,而非綁定線、焊接和導(dǎo)熱涂層。與采用標(biāo)準(zhǔn)綁定線連接技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的1.5A/cm2電流密度相比,新技術(shù)的電流密度實(shí)現(xiàn)了倍增,達(dá)到3A/cm2。因此,采用該技術(shù)的逆變器體積可以減少了35%。這種可靠且節(jié)省空間的技術(shù)是汽車和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用的最佳解決方案。

新技術(shù)帶來了更高的電流承載能力和10倍的功率循環(huán)能力這對于過去使用限制性綁定線連接的電力電子技術(shù)來說是不可想象的。過去25年中,綁定線一直是連接芯片和DBC基板的主要方法,綁定線連接達(dá)不到技術(shù)進(jìn)步所帶來的更高電流密度,這意味著可靠性會(huì)受到損害。新的封裝中,燒結(jié)金屬箔片取代了芯片上的綁定線,芯片的下部燒結(jié)在DBC基板上。此封裝具有最佳的芯片熱連接和電氣連接,因?yàn)闊Y(jié)層比焊層的熱阻小。燒結(jié)箔的整個(gè)表面與芯片相連,而接合線只在接觸點(diǎn)與芯片相連。得益于新封裝技術(shù)提供的高負(fù)載循環(huán)能力,運(yùn)行在更高溫度下是可能的。鑒于諸如SiCGaN等新材料逐漸使用,這些被提升的溫度可被充分利用。

但是,新封裝解決方案中,綁定線不是唯一被摒棄。事實(shí)上,新封裝是無焊接和無導(dǎo)熱涂層的。一個(gè)燒結(jié)層取代了導(dǎo)熱涂層和焊接基板。系統(tǒng)中30%的總熱阻是由導(dǎo)熱涂層產(chǎn)生的。通過替換該涂層,芯片和散熱片之間的熱傳導(dǎo)率得以改善,從而使得可用電流增加了30%。

有了SKiN技術(shù),現(xiàn)在有可能將一個(gè)3MW的風(fēng)力發(fā)電轉(zhuǎn)換器放進(jìn)一個(gè)開關(guān)柜中。另一個(gè)例子是用于混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車的90kW轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器的體積比當(dāng)今市場上最小的轉(zhuǎn)換器還小35%。對于車輛和風(fēng)力發(fā)電機(jī)組中的轉(zhuǎn)換器,使用液冷系統(tǒng),采用小巧輕便的轉(zhuǎn)換器為我們客戶提供重要的競爭優(yōu)勢。


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